[发明专利]氢氧化钴空心立方体电极材料及制备方法和应用在审
| 申请号： | 202110237773.1 | 申请日： | 2021-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN112978873A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 马杰;熊岳城 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C02F1/469 | 分类号： | C02F1/469;C02F1/461;C02F101/12 |
| 代理公司： | 上海科律专利代理事务所(特殊普通合伙) 31290 | 代理人： | 叶凤 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
氢氧化钴空心立方体电极材料及制备方法和应用。该方法基于法拉第电容及双电层电容储存电荷的原理。在电容去离子装置中，在一定电压的情况下，一极以氢氧化钴空心立方体电极为法拉第电容吸附钠离子，另一极以活性炭为双电层电容吸附氯离子，从而去除氯化钠，达到脱盐的目的。通过控制施加电压的大小及调整正负极即可实现材料对氯离子和钠离子的循环吸附与脱附，操作简单，无二次污染，且无需其他化学物质辅助。氢氧化钴空心立方体材料与活性炭电极组成的杂化电容去离子装置对氯化钠的吸附容量可达到116.8mg·g |
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| 搜索关键词： | 氢氧化 空心 立方体 电极 材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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