[发明专利]一种低功耗芯片的过温保护电路

摘要

本发明提供一种低功耗芯片的过温保护电路，包括：第一电流镜、第二电流镜、PMOS管PM3、NMOS管NM1、NM2、NM3、NM4、三极管Q1、Q2、运算放大器AMP、反相器INV1和INV2，运算放大器AMP作为比较器使用，运算放大器AMP的同相端与NMOS管NM1的栅极连接、反相端接在了与温度无关的基准电压Vref上、输出端与反相器INV1连接，反相器INV1与反相器INV2串联，反相器INV1的输出信号OVT_N输入到NMOS管NM3的栅极，反相器INV2的输出信号OVT_P输入到PMOS管PM3的栅极和NMOS管NM4的栅极，通过比较运算放大器AMP同相端的电压VNTAT与反相端的电压Vref，从而控制输出信号OVT_N、OVT_P为高电平或低电平，从而改变PMOS管PM3、NMOS管NM3和NMOS管NM4的通断状态，使得温度未超过过温点时芯片正常工作、温度超过过温点时芯片受保护被关闭。