[发明专利]使用对准结构和多步骤切单进行电子管芯切单的结构和方法在审

专利信息
申请号: 202110238865.1 申请日: 2021-03-04
公开(公告)号: CN113436971A 公开(公告)日: 2021-09-24
发明(设计)人: S·R·伊杜卢;G·常;G·M·格里瓦纳 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065;H01L21/308;H01L23/544;H01L21/68
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 秦晨
地址: 美国亚*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明题为使用对准结构和多步骤切单进行电子管芯切单的结构和方法。本发明公开一种用于切单半导体晶圆的方法,该方法包括提供具有与第一表面相邻的多个半导体器件的该半导体晶圆,该多个半导体器件由对应于将形成切单线的位置的空间分离。该方法包括提供与第一表面相邻的对准结构,以及在半导体晶圆的第二表面上提供材料,其中对准结构正下方的第二表面上不存在材料。该方法包括使IR信号通过该半导体晶圆从该第二表面传递到不存在该材料的该第一表面以检测该对准结构以及将切单设备对准将形成该切单线的该空间。该方法包括使用该切单设备移除与该切单线对准的材料层中的部分,随后通过该空间从该第一表面到该第二表面等离子体蚀刻半导体晶圆以形成该切单线,从而切单该半导体晶圆。
搜索关键词: 使用 对准 结构 步骤 进行 电子 管芯 方法
【主权项】:
暂无信息
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