[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110239043.5 | 申请日： | 2021-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN113380882A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 西康一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明目的是提供可降低阈值电压而不使RBSOA耐量及制造波动恶化的半导体装置。本发明所涉及的半导体装置具有：第1导电型的漂移层(2)；第1导电型的载流子存储层(14)，其设置于漂移层的第1主面侧；第2导电型的基极层(6)，其设置于载流子存储层的第1主面侧；第1导电型的发射极层(7)，其设置于基极层的第1主面侧；沟槽(8)，其以贯通发射极层、基极层及载流子存储层而到达漂移层的方式设置；栅极绝缘膜(9)，其设置于沟槽的内壁；栅极电极(10)，其隔着栅极绝缘膜埋入至沟槽内；以及第2导电型的集电极层(4)，其设置于漂移层的第2主面侧，基极层的杂质的峰值浓度大于或等于1.0E17cm |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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