[发明专利]一种制备大厚度单晶的装置和方法有效
| 申请号： | 202110239719.0 | 申请日： | 2021-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN112941622B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 赵丽丽 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市文洋专利代理事务所(普通合伙) 23210 | 代理人： | 王艳萍 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种制备大厚度单晶的装置和方法，本发明是要解决现有的宽禁带半导体晶体厚度较薄的技术问题。本发明的装置，包括坩埚加热器主体、石墨加热器上盖、籽晶托、多孔支撑板、保温外层、主感应线圈和至少2个分感应线圈；在坩埚加热器主体内的顶部设置籽晶托，中部设置多孔支撑板；在坩埚加热器主体外上部环绕设置可上、下移动主感应线圈、下部设置分感应线圈。方法：将原料装入坩埚加热器主体内，再将多晶原料放置在多孔支撑板上，将籽晶固定在籽晶托的下表面；使主感应线圈向下移动，再逐个开启分感应线圈进行加热使晶体生长。得到的晶体的厚度为20～100mm，纵向沉积均匀一致。可用于晶体生长领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 厚度 装置 方法 | ||
【主权项】：
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