[发明专利]光刻和湿法刻蚀相结合制备双面随机微透镜阵列的方法在审
| 申请号： | 202110240526.7 | 申请日： | 2021-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN113031129A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 曹阿秀;薛莉;邓启凌;庞辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G02B3/00 | 分类号： | G02B3/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 杨学明 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光刻和湿法刻蚀相结合制备双面随机微透镜阵列的方法，包括：设计两个图案呈镜像对称的掩模版，利用高精度激光直写技术制备设计的掩模版，在双面抛光的玻璃基材的正反两侧镀铬膜层作为湿法刻蚀的掩蔽层，将光刻胶上的图案及对准标记传递到该侧铬膜层，在此过程中需要对玻璃基材的另一侧的铬膜层进行保护，将基材放入HF溶液中进行刻蚀，在玻璃基材一侧形成随机矩形分布的微透镜阵列结构；在另一侧铬膜层表面旋涂光刻胶，利用双面曝光技术进行曝光，将掩模版上的图案传递到光刻层，再次将基材放入去铬液中使光刻胶图案转移到铬膜层；完成双面随机微透镜阵列的制备。打破微透镜阵列的周期性，消除干涉的影响获得高均匀性的匀化光斑。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 湿法 刻蚀 相结合 制备 双面 随机 透镜 阵列 方法 | ||
【主权项】：
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