[发明专利]具有减少的处理步骤SIC电子器件的制造方法和SIC电子器件在审
| 申请号： | 202110240820.8 | 申请日： | 2021-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN113363153A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | S·拉斯库纳;P·巴达拉;A·巴西;M·G·萨吉奥;G·弗兰科 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/04;H01L29/45;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的各实施例涉及具有减少的处理步骤SIC电子器件的制造方法和SIC电子器件。一种用于制造基于SiC的电子器件的方法包括在衬底的正侧形成SiC的结构层。衬底具有沿一方向与正侧相对的背侧。电子器件的有源区域在结构层中形成，并且所述有源趋于被配置为在电子器件的使用期间生成或传导电流。第一电端子在结构层上形成并且中间层在衬底的背侧处形成。中间层通过激光束被加热用来生成局部加热，以有利于钛化合物的欧姆接触的形成。电子器件的第二电端子在中间层上被形成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减少 处理 步骤 sic 电子器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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