[发明专利]硅通孔结构、封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202110241351.1 | 申请日： | 2021-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN113035811B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 陈琳;朱宝;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/31;H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅通孔结构，包括硅衬底，所述硅衬底间隔设有若干通孔，相邻的所述通孔之间均开设有上下贯通的中空部；第一导电层，设于所述通孔内；第二导电层，设于所述中空部。本发明通过在所述硅衬底上形成若干通孔，每个所述通孔内均设有第一导电层，所述中空部内设有第二导电层，每个的所述通孔和所述中空部都能进行电信号传输，所以当部分第一导电层或第二导电层出现损坏时，仍可实现电连接，保障了电信号传输，从而增加了硅通孔结构的可靠性。另外，本发明还提供了封装结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 结构 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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