[发明专利]一种提高芯片去层次时均匀度的方法在审
| 申请号： | 202110242925.7 | 申请日： | 2021-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113063641A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 贺晓辉;李迈克;周梦甦;石磊;陈耿 | 申请（专利权）人： | 重庆工程职业技术学院 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;H01L21/67 |
| 代理公司： | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人： | 袁泉 |
| 地址： | 402284 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高芯片去层次时均匀度的方法，涉及半导体技术领域，通过在底座芯片B以及补偿芯片和失效芯片的背面打孔，然后利用热熔胶枪点胶填充热熔胶，操作工艺简单、热熔胶的用量少；无需在失效芯片与底座芯片B之间形成胶层进行粘接，能防止失效芯片出现倾斜的状况，使失效芯片研磨过程更加均衡，保证失效芯片样品研磨后表面平整度和均匀度。并在水下研磨失效芯片，水既能够起到润滑剂的作用，使研磨工作更加顺滑，又能及时分散研磨产生的颗粒，避免颗粒干扰研磨工作，进一步保证研磨后表面平整度和均匀度，水下研磨还能有效的散发在研磨过程中产生的热量，提高了散热水平，从而减少失效芯片的翘曲，够避免样品边缘出现分层现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 芯片 层次 均匀 方法 | ||
【主权项】：
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