[发明专利]一种ITO颗粒的气氛烧结方法有效

专利信息
申请号: 202110242931.2 申请日: 2021-03-05
公开(公告)号: CN112898014B 公开(公告)日: 2022-06-07
发明(设计)人: 唐智勇 申请(专利权)人: 株洲火炬安泰新材料有限公司
主分类号: C04B35/457 分类号: C04B35/457;C04B35/64
代理公司: 长沙鑫泽信知识产权代理事务所(普通合伙) 43247 代理人: 刁飞
地址: 412000 湖南省株洲*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种ITO颗粒的气氛烧结方法,属于ITO靶材加工技术领域,该气氛烧结方法包括以下步骤:S1、ITO素坯的制备:将In2O3粉末和SnO2粉末混合均匀,得到原料粉末,在所述原料粉末中加入粘合剂,混合均匀后喷雾造粒,然后将其装填到模具中,经模压处理及冷等静压处理后,得到ITO素坯;S2、ITO靶材的制备:将上述ITO素坯进行脱脂和抽真空处理,然后在所述ITO素坯孔隙中充入氧气,以使所述ITO素坯在常压、纯氧气氛条件及1500‑1620℃温度下烧结5‑12h,制得ITO靶材。本发明解决了传统ITO靶材气氛烧结工艺制造得到的ITO靶材密度较低的问题。
搜索关键词: 一种 ito 颗粒 气氛 烧结 方法
【主权项】:
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