[发明专利]用于制造MEMS半导体芯片的具有隐形切割工艺的方法在审
| 申请号： | 202110243153.9 | 申请日： | 2021-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113493187A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | A·布罗克迈尔;S·黑尔比希;A·科勒 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 黄倩 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本公开的各实施例涉及用于制造MEMS半导体芯片的具有隐形切割工艺的方法。一种方法包括生产半导体晶圆。半导体晶圆包括多个MEMS半导体芯片，其中MEMS半导体芯片具有：被布置在半导体晶圆的第一主表面处的MEMS结构、被布置在第一主表面处的第一半导体材料层、以及被布置在第一半导体材料层下方的第二半导体材料层，其中第一半导体材料层的掺杂大于第二半导体材料层的掺杂。该方法还包括：去除在相邻的MEMS半导体芯片之间的区域中的第一半导体材料层。该方法还包括：从半导体晶圆的第一主表面并且在相邻的MEMS半导体芯片之间应用隐形切割工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 mems 半导体 芯片 具有 隐形 切割 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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