[发明专利]三维集成结构及其制造方法有效
申请号: | 202110243407.7 | 申请日: | 2021-03-05 |
公开(公告)号: | CN113035812B | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
发明(设计)人: | 朱宝;陈琳;孙清清;张卫 | 申请(专利权)人: | 复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/522;H01L21/48 |
代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黄海霞 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种三维集成结构,包括:衬底,具有第一连接端和第二连接端;第一纳米电容;第二纳米电容;以及导电组件。本发明通过将导电组件设置成包括用于电连接所述第一底部金属凸部和所述第一连接端的第一底部连接件、用于电连接所述第一连接端和所述第二底部金属凸部的第二底部连接件、用于电连接所述第一顶部金属凸部和所述第二连接端的第一顶部连接件以及用于电连接所述第二连接端和所述第二顶部金属凸部的第二顶部连接件,从而使第一纳米电容和第二纳米电容并联设置,减少了电容所占集成结构的表面积,同时增大了电容密度,提高了电容的整体性能。另外,本发明还提供了一种三维集成结构的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 三维 集成 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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