[发明专利]双荧光发射峰调控的下转换纳米材料及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 202110243615.7 | 申请日： | 2021-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113004898B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 王强斌;张荣;孙自强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;上海科技大学 |
| 主分类号： | C09K11/85 | 分类号： | C09K11/85;G01N21/64 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王茹 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种双荧光发射峰调控的下转换纳米材料及其制备方法与应用。所述下转换纳米材料具有核壳结构，由内向外依次包括作为核层的Er发射层及作为壳层的隔绝层、Nd发射层和钝化层，所述下转换纳米材料的双荧光发射峰分别为1055～1065nm和1520～1535nm。本发明合成下转换纳米材料的条件可控性好，重复性高；所获下转换纳米材料的粒径均一，高度分散；通过聚合物包覆的方法对其表面进行功能化处理，再利用静电相互作用负载荧光淬灭剂，制得激活型的比率型探针，可实现高的组织穿透深度和高时空分辨率；同时能够特异性检测生物体内类风湿性关节炎的炎症因子ONOO |
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| 搜索关键词： | 荧光 发射 调控 转换 纳米 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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