[发明专利]铸造单晶硅片黑丝的去除方法、HIT异质结太阳能电池及其制备方法

摘要

本技术方案公开了一种铸造单晶硅片黑丝的去除方法，HIT异质结太阳能电池及其制备方法，铸造单晶硅片黑丝的去除方法包括：高温磷扩散退火，将铸造单晶硅片放入热处理炉中，抽真空，并加热温度至不低于1200℃，在保护气氛下通三氯氧磷进行表面磷扩散，在上述硅片的表面形成一层磷硅玻璃层，并保温10‑120min，保温结束后在以2‑15℃/min的冷却速率降温至常温。通过高温磷扩散退火工艺，有效减少铸造单晶硅片的黑丝面积，不仅有效降低电池片的EL不良比例，且能有效提升电池片的效率。