[发明专利]潜在热点图形区域确定方法及光刻热点图形获取方法在审
| 申请号： | 202110244338.1 | 申请日： | 2021-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113009789A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 苏晓菁;叶甜春;韦亚一;粟雅娟;张利斌;王云;薛静 | 申请（专利权）人： | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 杨明莉 |
| 地址： | 510000 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种潜在热点图形区域确定方法及光刻热点图形获取方法，所述潜在热点图形区域确定方法包括：获取电路版图上的图形区域，对所述图形区域进行遍历并获取截断点；确定各相邻所述截断点的中心点为图形切割中心点；基于各所述图形切割中心获取潜在热点图形区域，其中，各所述潜在热点图形区域为以各所述图形切割中心点为中心，并以第一预设扩展距离形成的正方形区域，所述第一预设扩展距离为所述第一正方形区域的对角线长度的一半。可选出少量的潜在热点图形区域，并且可以提供足够的图形类别覆盖率，相较于普通模式和点聚类法两种方案，降低光刻友好设计的仿真面积和运算时间，提升LFD仿真加速效率，同时提高了光刻友好设计的精确度。 | ||
| 搜索关键词： | 潜在 热点 图形 区域 确定 方法 光刻 获取 | ||
【主权项】：
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