[发明专利]分布式质量块结构MEMS压阻式加速度传感器芯片在审

专利信息
申请号: 202110244983.3 申请日: 2021-03-05
公开(公告)号: CN112834782A 公开(公告)日: 2021-05-25
发明(设计)人: 王鹏;杨帆;张昌明;王楠;杨雨君 申请(专利权)人: 陕西理工大学
主分类号: G01P15/08 分类号: G01P15/08;G01P15/12
代理公司: 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 代理人: 姜海荣
地址: 723000 陕西省汉*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种分布式质量块结构MEMS压阻式加速度传感器芯片,包括硅质基底和棚玻璃体;硅质基底内布置有四个悬空质量块;四个悬空质量块之间通过四根扭转梁连接形成正方形;扭转梁和悬空质量块朝向棚玻璃体的一面平齐,扭转梁位于悬空质量块的中轴线上;四个悬空质量块朝向硅质基底相对的两个内侧壁的侧壁,分别通过四根支撑梁与硅质基底的内侧壁连接;四个悬空质量块朝向硅质基底相对的另两个内侧壁的侧壁,分别通过四根敏感梁与硅质基底的内侧壁连接;支撑梁、敏感梁和悬空质量块远离棚玻璃体的一面平齐,支撑梁和敏感梁均位于悬空质量块的中轴线上。本发明可以从理论上消除传感器的横向交叉干扰,且加工更为容易,方便批量化生产。
搜索关键词: 分布式 质量 结构 mems 压阻式 加速度 传感器 芯片
【主权项】:
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