[发明专利]用于光导开关的衬底及其制作方法、光导开关有效
申请号: | 202110246613.3 | 申请日: | 2021-03-05 |
公开(公告)号: | CN113054041B | 公开(公告)日: | 2023-01-31 |
发明(设计)人: | 卫新发;张育民;梁国松;王建峰;徐科 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/0232;H01L31/0312;H03K17/78 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;武岑飞 |
地址: | 215123 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 提供了一种衬底,其包括基体以及掺杂于基体内的缺陷材料和施主材料;从基体的第一表面到基体的中央面,缺陷材料的掺杂浓度由第一缺陷掺杂浓度逐渐增大到第二缺陷掺杂浓度,施主材料的掺杂浓度由第一施主掺杂浓度逐渐降低到第二施主掺杂浓度;从中央面到基体的第二表面,缺陷材料的掺杂浓度由第二缺陷掺杂浓度逐渐降低到第三缺陷掺杂浓度,施主材料的掺杂浓度由第二施主掺杂浓度逐渐增加到第三施主掺杂浓度,第二表面与第一表面相对。还提供了该衬底的制作方法和具有该衬底的光导开关。衬底的第一、第二表面附近区域的施主材料浓度较高,缺陷材料浓度较低,可以提高载流子浓度;衬底的中央区域,缺陷材料的掺杂浓度较高,可以提高衬底的暗电阻率。 | ||
搜索关键词: | 用于 开关 衬底 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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