[发明专利]一种改善晶圆边缘损伤的方法在审
| 申请号： | 202110246812.4 | 申请日： | 2021-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN115036217A | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 金根浩;周娜;李俊杰;李琳;王佳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人： | 姚东华 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种改善晶圆边缘损伤的方法，属于半导体制造工艺技术领域，解决了在制备高电压元件处理器中，深度反应离子刻蚀时，晶圆边缘硅基材暴露产生的硅针或硅刺等损伤的问题。本发明提供的改善晶圆边缘损伤的方法，包括：提供半导体衬底；在衬底上方自下而上依次形成停止层和第一硬掩模层，在第一硬掩模层上方涂敷光刻胶；去除边缘区域光刻胶及该边缘区域正下方的第一硬掩模层，露出边缘区域停止层，形成边缘停止层上方的空白区域；去除保留在第一硬掩模层上方的光刻胶，露出保留的第一硬掩模层的顶面；在露出边缘区域的停止层上方与第一硬掩膜层侧面所围成区域形成第二硬掩模层。在深度反应离子刻蚀时，避免了晶圆边缘出现硅针或硅刺等损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 边缘 损伤 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
