[发明专利]一种自准直空间型铌酸锂电光相位调制器及其制备方法有效
申请号: | 202110248273.8 | 申请日: | 2021-03-07 |
公开(公告)号: | CN112965269B | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 华平壤;丁宁;戎士铖 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | G02F1/03 | 分类号: | G02F1/03 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 李素兰 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明的一种一种自准直空间型铌酸锂电光相位调制器及其制备方法,包括自准直空间型电光相位调制器包括电极(1),掺镁铌酸锂晶体近表面折射率渐变层(2)和高折射率掺镁铌酸锂晶体芯层(3);其中在电极(1)的两极之间设置所述高折射率掺镁铌酸锂晶体芯层(3);所述掺镁铌酸锂晶体近表面折射率渐变层(2)成对地设置于高折射率掺镁铌酸锂晶体芯层(3)与所述电极(1)形成的空间中。与现有的铌酸锂空间型电光相位调制器相比,本发明具有更低的半波电压、更大的光强承受能力、更低的传输损耗和更高的调制效率;输入光束无需进行准直,减少了系统复杂程度,可直接与大芯径、大模场光纤直接连接,扩展了应用场景。 | ||
搜索关键词: | 一种 空间 型铌酸锂 电光 相位 调制器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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