[发明专利]一种基于槽耦合结构的高隔离度双极化紧耦合相控阵天线单元有效

专利信息
申请号: 202110249410.X 申请日: 2021-03-08
公开(公告)号: CN113078460B 公开(公告)日: 2021-12-03
发明(设计)人: 屈世伟;杜思谊;王浩同;杨仕文;胡俊 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01Q1/38 分类号: H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q1/48;H01Q9/04
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 陈一鑫
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于雷达技术、无线通信技术领域,公开了一种基于槽耦合结构的高隔离度双极化紧耦合相控阵天线单元。考虑到一般的双极化紧耦合天线的极化隔离度较差,因此提出了一种槽耦合过渡结构,在保证相控阵天线驻波与辐射性能的前提下优化了天线的极化隔离度。发明中给出的实施例,详细的描述了一种基于槽耦合过渡结构的双极化紧耦合,其中耦合贴片是由4条矩形折叠长槽组成,耦合贴片可以将其上方辐射臂的电流耦合至下方十字型贴片上,在保证天线工作带宽与波束扫描角度的情况下,最大程度提升天线的极化隔离度。仿真结果表明,实施例中的双极化天线单元的E面与H面均可以在两倍频的范围内实现±60°的波束扫描,在0‑60°的扫描范围内带内极化隔离度基本保持在‑15dB以下。
搜索关键词: 一种 基于 耦合 结构 隔离 极化 相控阵 天线 单元
【主权项】:
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