[发明专利]微发光元件有效
| 申请号： | 202110252031.6 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN113066812B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 丁绍滢;范俊峰;李佳恩;徐宸科 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/56;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 微发光元件，包括转移材料层、微发光二极管，转移材料层至少覆盖微发光二极管的顶面或侧面，转移材料层至少分为转移状态和稳定状态；在转移状态下，转移材料层为柔性材料；在稳定状态下，微发光二极管设置在转移材料层的凹槽中，凹槽的深度为0.1~5μm，转移材料层向微发光二极管提供夹持力，解决微发光二极管转移过程中容易松动或脱落的问题，提高微发光二极管转移的良率，特别是大量转移的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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