[发明专利]使光刻线条变窄的方法及光刻机有效
| 申请号： | 202110253880.3 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN112882355B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 李荣宝 | 申请（专利权）人： | 上海大溥实业有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海三方专利事务所(普通合伙) 31127 | 代理人： | 吴玮;徐成泽 |
| 地址： | 201607 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及光刻技术领域，具体来说是一种使光刻线条变窄的方法及光刻机，进行至少两次曝光，以在所述的至少两次曝光的重叠部分形成所需的光刻部。本发明同现有技术相比，组合结构简单可行，其优点在于：原创性地设计了使光刻线条变窄的方法，通过至少两次的先后曝光，在曝光的重叠部分形成所需的光刻部，其能够克服现有技术的不足满足纳米级的曝光需求，且有助于降低光刻工艺的成本；还设计了实现掩膜版位移的具体方法和设备结构，实现了纳米级和亚纳米级的掩膜版位移。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 线条 方法 | ||
【主权项】：
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