[发明专利]双向导通的高压高性能可编程半导体防浪涌保护器件

摘要

本发明公开了一种双向导通的高压高性能可编程半导体防浪涌保护器件，包括设置在基岛上的芯片，芯片与基岛外部框架通过键合丝相连，其特征在于，芯片包括成对设置的晶闸管、三极管以及二极管，晶闸管、三极管、二极管均设置有一对，且对称设置有衬底上，两三极管连接在一起、且位于衬底的中部，两晶闸管和两二极管对称设置在两三极管两侧，晶闸管采用均匀分布阴极短路点，并将门极孔开设在P+区上，晶闸管的门极通过铝引线与三极管的发射极相连，本发明通过在晶闸管的采用均匀分布阴极短路点、并将门极孔开设在P+区上，从而增强了防浪涌能力，并提高了反向击穿电压，增强器件的性能。