[发明专利]一种惠斯通电桥式传感器的零位温度漂移估算方法有效

专利信息
申请号: 202110254601.5 申请日: 2021-03-09
公开(公告)号: CN113091773B 公开(公告)日: 2022-02-01
发明(设计)人: 于向前;宗秋刚;肖池阶;刘斯;曲亚楠;陈鸿飞;邹鸿;施伟红;王永福;陈傲;宋思宇;高爽;邵思霈 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: G01D3/036 分类号: G01D3/036;G01D18/00
代理公司: 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 代理人: 高园园
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种惠斯通电桥式传感器的零位温度漂移估算方法,该方法建立了描述惠斯通电桥式传感器零位温度漂移的准线性模型。利用这一准线性模型,能够推导惠斯通电桥式传感器零位的理论温度依赖关系,估算惠斯通电桥式传感器在任意温度下的零位温度漂移量。为惠斯通电桥式传感器的校准提供数据支持,提高惠斯通电桥式传感器的校准精度。上述准线性模型为解释惠斯通电桥式传感器的零位温度漂移的原因提供了一个清晰的物理图像,有助于理解惠斯通电桥式传感器产生温度漂移的原因。并且该准线性模型适用于惠斯通电桥式磁阻传感器、采用惠斯通电桥结构的称重元件、温度传感器、电场传感器等其它惠斯通电桥结构传感器。
搜索关键词: 一种 斯通 电桥 传感器 零位 温度 漂移 估算 方法
【主权项】:
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