[发明专利]一种基于硅衬底GaN基黄光发光二极管光源的落射式荧光成像系统在审
| 申请号： | 202110254660.2 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113237853A | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 邓素辉;袁德一;袁刘松;周辉林;王玉皞 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 许莹莹 |
| 地址： | 330000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 发明一种基于硅衬底GaN基黄光发光二极管光源的落射式荧光成像系统，采用硅衬底GaN基黄光发光二极管作为光源，构建了一套荧光成像系统。主要发明内容包括的照明系统模块、样品激发模块和荧光探测模块。照明系统模块中，采用非球面透镜组对硅衬底GaN基黄光LED光源进行准直；样品激发模块中，将准直后的光束通过二向色镜反射进入光阑和物镜聚焦，对样品进行激发；荧光探测模块中，将激发出的荧光经物镜接收后通过二向色镜和荧光滤色片，经收集透镜后进入CMOS相机成像。本发明将硅衬底GaN基黄光LED作为光源应用于落射式荧光成像系统，相比于商业显微镜中常用的汞灯照明的超宽光谱，LED窄带波普可以减少交叉激发，同时具有增加图像的对比度和信曝比等优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 衬底 gan 基黄光 发光二极管 光源 落射式 荧光 成像 系统 | ||
【主权项】：
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