[发明专利]一种晶体生长方法及装置有效

专利信息
申请号: 202110254960.0 申请日: 2021-03-09
公开(公告)号: CN113061984B 公开(公告)日: 2022-03-01
发明(设计)人: 张虎;张开端;史建伟;阴法波;张维刚;马振华 申请(专利权)人: 山东天岳先进科技股份有限公司
主分类号: C30B23/00 分类号: C30B23/00;C30B28/12;C30B29/36;C30B33/02
代理公司: 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 代理人: 张伟朴
地址: 250118 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提供了一种晶体生长方法及装置,该方法包括:(1)准备阶段:将组装好的坩埚置于炉体内,炉体外套设有石英管,石英管包括石英管内层、夹层和石英管外层;夹层内设置有喷液板,喷液板上开设有多个第一喷液口;石英管内层开设有多个第二喷液口;(2)长晶阶段;(3)降温阶段:控制喷液板转动,使得第一喷液口和第二喷液口至少部分重合,冷却液经第一喷液口和第二喷液口喷射到炉体上。通过控制冷却液经第一喷液口和第二喷液口喷射到炉体上,使冷却液以小液滴形式作用到炉体上,有利于提高炉体降温的均匀性;且通过调节第一喷液口和第二喷液口重合部分,可实现炉体喷水量的定量调节和控制,可根据晶体生长不同阶段提供不同的温场。
搜索关键词: 一种 晶体生长 方法 装置
【主权项】:
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