[发明专利]存储器器件和修整存储器器件的方法有效
| 申请号： | 202110255759.4 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113178224B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 史毅骏;李嘉富;池育德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42;G11C29/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 存储器器件，诸如MRAM存储器，包括具有多个位单元的存储器阵列。存储器阵列配置为存储修整信息并且存储用户数据。感测放大器配置为从存储器阵列读取修整信息，并且修整寄存器配置为从感测放大器接收修整信息。感测放大器配置为从修整寄存器接收修整信息，以便在用于从存储器阵列读取用户数据的修整模式下操作。本申请的实施例还涉及修整存储器器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 器件 修整 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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