[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110255894.9 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113035830A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 黄文宏 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京植德律师事务所 11780 | 代理人： | 唐华东 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供了半导体结构及其制造方法，在目前BGA(Ball Grid Array，球栅阵列)基板紧缺以及FOSub(Fan‑Out结合Substrate)基板良率低的情况下，利用基板(Substrate)与重布线中介层(RDL interposer)的结合，以实现取代多层BGA基板，并且利用FCB(Flip Chip Bonding，倒装芯片键合)技术结合基板和重布线中介层，利用模塑(molding)技术制作重布线中介层，提高了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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