[发明专利]一种InAlGaN/GaN异质结结构及其生长方法在审
| 申请号： | 202110256600.4 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113066851A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 张源涛;秦维泉;邓高强;董鑫;张宝林 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 刘世纯;王恩远 |
| 地址： | 130012 吉林省长春市*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种InAlGaN/GaN异质结结构及其生长方法，属于半导体材料外延生长技术领域。采用MOCVD方法在衬底层上依次外延生长GaN沟道层和InAlGaN势垒层，通过控制生长条件生长In：Al组分比约为1:5的InAlGaN势垒层，使InAlGaN势垒层与GaN沟道层实现a轴晶格匹配。本发明方法可以获得a轴晶格匹配的InAlGaN/GaN异质结，消除势垒层与沟道层之间的晶格失配，可以解决目前高Al组分AlGaN/GaN基电子器件中由于晶格失配而导致的结晶质量下降问题，可显著降低强电场下短沟道电子器件的逆压电极化效应，能够实现具有高密度二维电子气和高电导特性的无应变异质结结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 inalgan gan 异质结 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
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