[发明专利]中子辐照后电荷耦合器件暗信号的原位测量系统及方法有效
| 申请号： | 202110256732.7 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113038121B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 王祖军;焦仟丽;薛院院;唐明华;贾同轩;聂栩;赖善坤 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学;西北核技术研究所 |
| 主分类号： | H04N17/00 | 分类号： | H04N17/00 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 郑丽红 |
| 地址： | 411105 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供一种中子辐照后电荷耦合器件暗信号的原位测量系统及方法，解决现有测量系统在中子辐照实验后器件无法反映处于真实辐射环境及工作状态下暗信号参数变化规律的问题。该系统包括辐射源、CCD辐照单元、信号处理单元和上位机；CCD辐照单元包括CCD传感器，CCD传感器的感光面与中子源束流方向垂直；信号处理单元包括FPGA主控模块、CCD驱动电路模块、A/D转换模块、图像数据缓存模块、传输模块和电源模块；CCD驱动电路模块分别与CCD传感器、FPGA主控模块连接；A/D转换模块分别与CCD传感器、FPGA主控模块连接；图像数据缓存模块与FPGA主控模块相连；传输模块与FPGA主控模块相连；上位机对图像数据进行处理，获得暗信号的变化曲线。 | ||
| 搜索关键词： | 中子 辐照 电荷耦合器件 信号 原位 测量 系统 方法 | ||
【主权项】：
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