[发明专利]中央处理器及其制造方法有效
| 申请号： | 202110257283.8 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113097383B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B63/10 | 分类号： | H10B63/10;H10N70/20 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 邵磊;张颖玲 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种中央处理器(CPU)及其制造方法。其中，所述CPU包括：第一半导体结构，第一半导体结构至少包括一个内核以及包含有第一导电触点的第一键合层；第二半导体结构，第二半导体结构包括第一级至第N级缓存器中部分级或全部级缓存器和包含有第二导电触点的第二键合层；部分级或全部级缓存器中不同级的缓存器包括相变存储器中不同层的存储单元层；相变存储器包括多层堆叠的存储单元层；存储单元层包括多个存储单元；其中，所述N为大于一的正整数；键合结合层，位于第一半导体结构和第二半导体结构之间；其中，第一导电触点在键合结合层处与第二导电触点电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 中央处理器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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