[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202110258253.9 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113054105A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 袁盼;苏星松;张强;应战 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构的制作方法包括：提供基底；在所述基底上形成下电极层，所述下电极层的晶体结构包括四方晶系；以所述下电极层为晶种层，在所述下电极层表面形成第一介电层，所述第一介电层的晶体结构包括四方晶系；在所述第一介电层表面形成第一电流阻挡层。本申请实施例有利于提高第一介电层的介电常数，和利用第一电流阻挡层降低第一介电层的泄露电流，以提高后续形成的电容器的电容量，从而有利于提高半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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