[发明专利]一种基于SnSe/SnO2 在审
申请号: | 202110258297.1 | 申请日: | 2021-03-10 |
公开(公告)号: | CN113054055A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 凌翠翠;冯冰心;侯志栋;曹敏;张拓 | 申请(专利权)人: | 中国石油大学(华东) |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/109;H01L31/0392;C23C14/04;C23C14/06;C23C14/18;C23C14/35 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 266580 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明属于光探测技术领域,具体涉及一种自驱动光电探测器,该自驱动光电探测器,由上至下依次包括导电银胶点电极、金属钯前电极、硒化锡纳米薄膜层、二氧化锡多层球壳结构薄膜层、硅单晶基底和金属铟背电极。二氧化锡多层球壳结构薄膜层通过水热法、煅烧法、丝网印刷技术等方法制备,硒化锡薄膜层由直流磁控溅射技术制备,器件表现出良好的自驱动光探测性能,稳定性好,从紫外到近红外区域都具有响应特性。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 snse sno base sub | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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