[发明专利]一种环绕栅极场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110258903.X | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113078208A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 刘新科;杨嘉颖;陈勇;王磊;林峰;利健;宋利军;何文龙;姜全忠;贺威 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 吴黎 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种环绕栅极场效应晶体管及其制备方法，环绕栅极场效应晶体管包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的半导体纳米线，所述半导体纳米线包括沟道区；位于所述半导体衬底上的栅介质层，所述栅介质层环绕所述沟道区；位于所述半导体衬底上的界面层，所述界面层位于所述沟道区与所述栅介质层之间，所述界面层适于阻挡所述栅介质层中的氧扩散至沟道区。所述环绕栅极场效应晶体管具有稳定的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 环绕 栅极 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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