[发明专利]一种基于模板制造两级微纳结构阵列的方法有效

专利信息
申请号: 202110259204.7 申请日: 2021-03-10
公开(公告)号: CN113023668B 公开(公告)日: 2022-10-04
发明(设计)人: 周天丰;贺裕鹏;许汝真;刘朋;赵斌;梁志强;刘志兵;解丽静;王西彬 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;B82Y40/00
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 张德才
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开一种基于模板制造两级微纳结构阵列的方法,涉及微纳两级结构制备技术领域,包括以下步骤:步骤一、微沟槽模板制造;步骤二、在微沟槽模板上均匀镀覆一层光刻胶;步骤三、微沟槽模板引导SiO2纳米球自组装;步骤四、将自组装有SiO2纳米球的微沟槽模板取出烘干;步骤五、抗蚀金属膜镀覆;步骤六、SiO2纳米球去除;步骤七、材料刻蚀;步骤八、将微沟槽表面剩余的光刻胶和网状抗蚀金属层去除,最终将在微沟槽表面制备有序排列的纳米孔状结构。本发明能保证微米级结构及纳米结构均具有很好的均一性,而且两级结构具有较好的强度。
搜索关键词: 一种 基于 模板 制造 两级 结构 阵列 方法
【主权项】:
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