[发明专利]形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统在审
申请号: | 202110259233.3 | 申请日: | 2021-03-10 |
公开(公告)号: | CN113394224A | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | J·D·格林利;J·D·霍普金斯;R·J·克莱因;E·A·麦克蒂尔;徐丽芳;D·比林斯利 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/11524 | 分类号: | H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请案涉及形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统。微电子装置包括堆叠结构、阶梯结构、导电衬垫结构和导电接触结构。所述堆叠结构包括布置于层次中的竖直交替的导电结构和绝缘结构。所述层次中的每一个分别包括所述导电结构中的一个和所述绝缘结构中的一个。所述阶梯结构具有包括所述堆叠结构的所述层次中的至少一些的边缘的台阶。所述导电衬垫结构处于所述阶梯结构的所述台阶上并且包括贝塔相钨。所述导电接触结构处于所述导电衬垫结构上。还描述存储器装置、电子系统和形成微电子装置的方法。 | ||
搜索关键词: | 形成 微电子 装置 方法 以及 相关 存储器 电子 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的