[发明专利]形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统在审

专利信息
申请号: 202110259233.3 申请日: 2021-03-10
公开(公告)号: CN113394224A 公开(公告)日: 2021-09-14
发明(设计)人: J·D·格林利;J·D·霍普金斯;R·J·克莱因;E·A·麦克蒂尔;徐丽芳;D·比林斯利 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L27/11524 分类号: H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本申请案涉及形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统。微电子装置包括堆叠结构、阶梯结构、导电衬垫结构和导电接触结构。所述堆叠结构包括布置于层次中的竖直交替的导电结构和绝缘结构。所述层次中的每一个分别包括所述导电结构中的一个和所述绝缘结构中的一个。所述阶梯结构具有包括所述堆叠结构的所述层次中的至少一些的边缘的台阶。所述导电衬垫结构处于所述阶梯结构的所述台阶上并且包括贝塔相钨。所述导电接触结构处于所述导电衬垫结构上。还描述存储器装置、电子系统和形成微电子装置的方法。
搜索关键词: 形成 微电子 装置 方法 以及 相关 存储器 电子 系统
【主权项】:
暂无信息
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