[发明专利]包括平行导电层的半导体装置在审
| 申请号： | 202110259268.7 | 申请日： | 2021-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN113380741A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | P·帕尔姆;R·费勒;J·霍格劳尔;A·凯斯勒 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/48;H01L21/50 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周家新 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置包括半导体芯片，所述半导体芯片在第一芯片主表面上包括第一芯片接触焊盘。所述半导体装置还包括第一导电层，其布置在第一芯片主表面之上并且电耦合到第一芯片接触焊盘，其中，第一导电层在平行于第一芯片主表面的方向上延伸。所述半导体装置还包括第二导电层，其布置在第一导电层之上并且电耦合到第一导电层，其中，第二导电层在与第一导电层平行的方向上延伸。所述半导体装置还包括电直通连接结构，其电耦合到第一导电层和第二导电层，其中，电直通连接结构在垂直于第一芯片主表面的方向上延伸，并且在第一芯片主表面的顶视图中，电直通连接结构和半导体芯片不重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 平行 导电 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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