[发明专利]半导体装置的形成方法以及半导体装置在审
| 申请号： | 202110260054.1 | 申请日： | 2021-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN113206037A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 张尚文;邱奕勋;庄正吉;蔡庆威;林威呈;彭士玮;曾健庭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置的形成方法以及半导体装置。在一实施例中，一种形成一半导体装置的方法包括：在第一基板上方形成第一晶体管及第二晶体管；在第一晶体管及第二晶体管上方形成前侧互连结构；蚀刻第一基板的至少一背侧以暴露第一晶体管及第二晶体管；形成电连接至第一晶体管的第一背侧通孔；形成电连接至第二晶体管的第二背侧通孔；在第一背侧通孔及第二背侧通孔上方沉积介电层；在介电层中形成第一导电接线，第一导电接线为经由第一背侧通孔电连接至第一晶体管的电源轨；及于介电层中形成第二导电接线，第二导电接线为经由第二背侧通孔电连接至第二晶体管的信号接线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 以及 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
