[发明专利]一种半导体器件制作方法在审
| 申请号： | 202110262572.7 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN113053736A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 沈怡东;王成森;张超;李松松 | 申请（专利权）人： | 捷捷半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L21/225;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 衡滔 |
| 地址： | 226000 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种半导体器件制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一N型硅片，其中，N型硅片上设置有扩散窗口，然后沿N型硅片的表面涂覆铝源，并形成铝源层，再沿铝源层的表面沉积掩蔽层，然后在与扩散窗口对应位置的掩蔽层表面设置光刻胶，并刻蚀除扩散窗口区域以外的铝源层与掩蔽层，最后在目标环境下使铝源层向N型硅片的扩散窗口进行的扩散，以制作半导体器件。本申请提供的半导体器件制作方法具有扩散方式简单，效率高且对设备要求低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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