[发明专利]键合结构及其形成方法、晶圆键合结构及晶圆的键合方法在审
| 申请号： | 202110264360.2 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN113053806A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 高林;蒋阳波;王光毅 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528;H01L23/532;H01L21/18;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制作领域，尤其涉及一种键合结构及其形成方法、晶圆键合结构及晶圆的键合方法。所述晶圆间键合结构的形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成停止层，所述停止层的材料为掺碳的氮化硅；在所述停止层中形成通孔，所述通孔不插入所述衬底；形成保护层，所述保护层覆盖所述通孔的侧壁和底部表面；在所述保护层上形成金属材料层，所述金属材料层填充满所述通孔；平坦化所述金属材料层直至停止层，从而在所述通孔中形成键合金属层，所述键合金属层和两侧的停止层构成键合结构。本发明的方法防止了键合金属层表面凹陷缺陷的产生，提高了键合的强度。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 及其 形成 方法 晶圆键合 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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