[发明专利]一种硅基电光调制器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110264515.2 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN113176675A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 孙佳琪;杨妍;欧祥鹏;唐波;李志华;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01;G02B5/00 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅基电光调制器及其制备方法，硅基电光调制器包括：衬底，其包括埋氧层和位于所述埋氧层上的脊形波导结构，所述脊形波导结构包括条形波导；绝缘层，位于所述脊形波导结构的上表面；表面等离子激元结构，位于所述条形波导上，在所述表面等离子激元结构的两侧分别具有第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极位于所述绝缘层上的电极过孔中。本发明采用表面等离子激元结构，能够有效增强场能量的性质，增加电光相互作用与调制能力，实现了调制器长度的降低，同时解决了长度尺寸与消光比之间的相互限制的矛盾，最终实现调制器的长度在30um以下，提高消光比在50dB以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电光 调制器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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