[发明专利]一种铁电存储器的单元结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110264833.9 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN112864010A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 黄帅;李勇;佘彦超;王强;田昌海;陈琳 | 申请（专利权）人： | 铜仁学院 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/67;H01L27/1159 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 覃毅 |
| 地址： | 554300 贵州省铜仁市*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种铁电存储器的单元结构及其制备方法，所述铁电存储器的单元结构包括衬底、两个n+区、源极、漏极、第一氧化层、第二氧化层、第三氧化层、铁电薄膜和栅极；衬底之上沉积有第一氧化层，在第一氧化层上刻蚀有第一矩形窗口以及第二矩形窗口，在第一矩形窗口以及第二矩形窗口处形成有两个n+区、源极和漏极，在第一氧化层、源极和漏极之上沉积有第二氧化层，在第二氧化层中设置有第三矩形窗口，铁电薄膜沉积在第三矩形窗口内，在第二氧化层以及铁电薄膜之上沉积有第三氧化层，在第三氧化层之上沉积有栅极。本发明的铁电存储器的单元结构有助于提高铁电场效应晶体管存储器的保持性能，以期实现铁电场效应晶体管存储器的实用化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 单元 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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