[发明专利]一种模拟电磁辐射下的Hopfield神经网络模型在审
| 申请号： | 202110265324.8 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN112906878A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 蒋欣;王光义;董玉姣 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G06N3/063 | 分类号： | G06N3/063;G06N3/04 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310018 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种模拟电磁辐射下的三维Hopfield神经网络的等效模拟电路，包括负输出双曲正切函数实现电路以及三维的Hopfield神经网络主电路。本发明将三次磁控忆阻器模型作为突触连接引入到神经系统中，以Hopfield神经元为研究对象，引入电磁辐射效应作为控制参量，设计出可以模拟电磁辐射下Hopfield神经网络复杂行为的电路。本发明结构清晰，所用元器件简单可寻，易于理论分析和电路集成。该电路用电磁辐射强度 |
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| 搜索关键词： | 一种 模拟 电磁辐射 hopfield 神经网络 模型 | ||
【主权项】：
暂无信息
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