[发明专利]基于局部有源忆阻器的HR神经元电路模型在审
| 申请号： | 202110265375.0 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN112906879A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 韩宁娜;王光义;董玉姣 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G06N3/063 | 分类号： | G06N3/063;H03K19/20 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310018 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于局部有源忆阻器的HR神经元电路模型，包括集成运算放大器U1、U4、U5和乘法器U2、U3、U6、U7、U8、U9和少量电阻、电容，集成运算放大器U1、U4、U5用于实现积分运算、加法运算和反相比例运算，乘法器U2、U3、U6、U7、U8、U9用于实现信号的相乘运算。本发明结构简单，在目前及未来无法获得实际局部有源忆阻器件的情况下，可代替实际器件实现基于局部有源忆阻器的HR神经元电路模型，对局部有源忆阻器的特性和忆阻神经元电路研究具有重要的实际意义，通过引入的局部有源忆阻器来模拟神经元受到的外部刺激，能够展现出复杂的动力学行为。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 局部 有源 忆阻器 hr 神经元 电路 模型 | ||
【主权项】：
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