[发明专利]一种高熵合金纳米带及其制备方法有效
| 申请号： | 202110265511.6 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN113042744B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 郭少军;陶璐 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B22F9/24 | 分类号： | B22F9/24;B22F1/06;C22C30/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京远创理想知识产权代理事务所(普通合伙) 11513 | 代理人： | 卫安乐 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高熵合金纳米带及其制备方法，该高熵合金纳米带是一种具有纳米/亚纳米尺寸管壁厚度、微米级长度、元素摩尔比相当的多组元(五元、六元、七元等)一维高熵合金纳米材料。该高熵合金纳米带的制备方法主要是将Ag纳米线溶于苯甲醇溶剂中，在加热搅拌的条件下滴加含有多种金属盐前驱体的混合溶液，滴加完毕后停止加热，用环己烷‑乙醇溶液清洗产物两次，再将产物溶于硝酸溶液中进行刻蚀，最后将混合液经过离心处理，并用乙醇溶液清洗后，方可得到多组元一维高熵合金纳米带。该制备方法简单，制得的高熵合金纳米材料均具有规则的一维形貌特征和超薄的管壁厚度，在高熵合金研究中具有突破性意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合金 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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