[发明专利]一种集成化硅基宽光谱单光子雪崩二极管及制作方法

摘要

本发明提供了一种集成化硅基宽光谱单光子雪崩二极管及其制作方法，二极管的阳极电极延长至浅槽隔离层10，增大了平面结拐点的曲率半径，将电场极值引入到STI区，可平整结边缘电场，使结平面电场更加均匀，且雪崩区由中心深N阱401和中心P阱601构成，可以形成较宽的雪崩倍增区，有效提高短波近红外波段的光子吸收，增大光谱响应。二极管的保护环由未掺杂的P衬底构成虚拟保护环，由中心P阱与保护环6构成的附加结电场小于雪崩区电场，可实现平整倍增主结区边缘电场，提高光子探测效率。