[发明专利]基于纳米受限水压热效应的循环冷却系统制备方法有效
申请号: | 202110267533.6 | 申请日: | 2021-03-11 |
公开(公告)号: | CN113113317B | 公开(公告)日: | 2023-09-29 |
发明(设计)人: | 张助华;赵志强;轩啸宇;胡知力 | 申请(专利权)人: | 南京航空航天大学 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/473 |
代理公司: | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人: | 韩天宇 |
地址: | 210016 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于纳米受限水压热效应的循环冷却系统制备方法,首先将需要散热的电子芯片集成在硅晶圆上,硅晶圆上设有凹槽;然后在凹槽内沉积受限层;其次,在硅晶片的表面上制备刚性的纳米柱阵列,并使得纳米柱阵列位于硅晶圆的凹槽内且受限层接触;接着在凹槽内浇铸环氧树脂膜,冷却后分离硅晶圆和硅晶片,并在得到的纳米微孔阵列中通过蒸汽压填充液态制冷剂;最后在硅晶片上沉积压电薄膜。通过压电薄膜驱动纳米柱的移动从而实现对制冷介质进行加压和减压,诱导被限制在纳米微孔中的水中产生相变,从而实现制冷。本制冷系统具有绝热温变大、工作温度宽、制冷介质清洁无污染等优点。 | ||
搜索关键词: | 基于 纳米 受限 水压 热效应 循环 冷却系统 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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