[发明专利]一种低温漂的高阶温度补偿MOS带隙基准电路

摘要

本发明公开了一种低温漂的高阶温度补偿MOS带隙基准电路，包括一阶MOS带隙基准电路、高温区域补偿电路、低温区域补偿电路以及启动电路。本发明采用工作在亚阈值区的NMOS管的栅极‑源极电压产生负温度系数的电压VCTAT，两个工作在亚阈值区的NMOS管的栅极‑源极电压之差产生正温度系数的电压VPTAT，而后加权获得一阶带隙基准电压，将高温区域温度曲率补偿电压VNL1、VNL2以及低温区域温度分段补偿电压VNL3、VNL4引入到一阶MOS带隙基准电路，获得低温度系数的带隙基准电压，从而获得了一种低温漂的高阶温度补偿MOS带隙基准电路。