[发明专利]垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202110269950.4 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113054030A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 马万里 | 申请（专利权）人： | 深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/16;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 李睿 |
| 地址： | 518172 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制备方法和应用。该垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管包括N型基体，N型基体的一侧设有沟槽，N型基体内设有P‑体区、N+区、碳化硅层、栅氧化层、第一阻挡层和多晶硅层，第一阻挡层在沟槽内围绕沟槽的侧壁设置，碳化硅层自沟槽的槽底向N型基体延伸，栅氧化层设在沟槽的底部，多晶硅层在沟槽内设置于栅氧化层之上，P‑体区围绕沟槽的侧壁且环绕N+区，N+区的表面露出于N型基体的设有沟槽的上表面，其中，N+区的材料是掺杂N型离子的碳化硅，器件在源区和漏极的外延层中引入了碳化硅层，产生了类似应变硅的效应，提升了器件的工作速度。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 扩散 金属 氧化物 半导体 晶体管 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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