[发明专利]一种垂直纳米线阵列的制备方法在审
| 申请号： | 202110270115.2 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113173557A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 田佳佳;张青竹;李俊杰;吴次南;张兆浩;殷华湘;张静;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00;B81B7/04 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种垂直纳米线阵列的制备方法，采用两次自对准的侧墙转移技术工艺形成纳米尺度两层侧墙交叉阵列，利用氧化硅与氮化硅的选择比及二次侧墙阵列交叉位置的高度差的反应离子刻蚀(RIE)刻蚀，形成氮化硅纳米点阵列，再以氮化硅点阵列为掩膜刻蚀衬底硅，形成垂直纳米线阵列，最后通过酸性溶液腐蚀残留的氮化硅和氧化硅，制备出高纯度、无损伤、有序垂直排列的硅纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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